Tristör Çipi
Tristör Çipi
RUNAU Electronics tarafından üretilen tristör çipi, orijinal olarak ABD uygulama standardı ile uyumlu ve dünya çapındaki müşteriler tarafından onaylanan GE işleme standardı ve teknolojisi tarafından tanıtıldı.Güçlü termal yorulma direnci özellikleri, uzun hizmet ömrü, yüksek voltaj, büyük akım, güçlü çevresel uyum, vb. özellikleriyle öne çıkar. 2010 yılında RUNAU Electronics, GE ve Avrupa teknolojisinin geleneksel avantajını, performansı ve performansı birleştiren yeni bir tristör çip modeli geliştirdi. verimlilik büyük ölçüde optimize edildi.
Parametre:
| Çap mm | Kalınlık mm | Gerilim V | Kapı Çapı mm | Katot İç Çapı mm | Katot Çıkış Çapı mm | tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1.6-1.8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2.5-2.9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2.6-3.0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
| 99 | 4.5-4.8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
Teknik özellik:
RUNAU Electronics, faz kontrollü tristör ve hızlı anahtar tristörden oluşan güç yarı iletken çipleri sağlar.
1. Durumda düşük voltaj düşüşü
2. Alüminyum tabakanın kalınlığı 10 mikrondan fazladır.
3. Çift katmanlı koruma mesa
İpuçları:
1. Daha iyi performansı sürdürmek için, molibden parçalarının oksidasyonu ve neminden kaynaklanan voltaj değişimini önlemek için çip nitrojen veya vakum koşullarında saklanmalıdır.
2. Çip yüzeyini daima temiz tutun, lütfen eldiven giyin ve çipe çıplak elle dokunmayın.
3. Kullanım sürecinde dikkatli çalışın.Çipin reçine kenar yüzeyine ve geçidin ve katodun kutup alanındaki alüminyum tabakaya zarar vermeyin.
4. Testte veya kapsüllemede, fikstürün paralellik, düzlük ve sıkıştırma kuvvetinin belirtilen standartlarla örtüşmesi gerektiğine lütfen dikkat edin.Zayıf paralellik, eşit olmayan basınca ve talaşın zorla zarar görmesine neden olur.Aşırı kenetleme kuvveti uygulanırsa, çip kolayca zarar görür.Uygulanan kenetleme kuvveti çok küçükse, zayıf temas ve ısı dağılımı uygulamayı etkileyecektir.
5. Çipin katot yüzeyi ile temas halinde olan basınç bloğu tavlanmalıdır.
Kelepçe Kuvveti Önerin
| Cips Boyutu | Kelepçe Kuvveti Önerisi |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 veya Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 veya Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |