Doğrultucu diyot çipi
Doğrultucu Diyot Çipi
RUNAU Electronics tarafından üretilen doğrultucu diyot çipi, orijinal olarak ABD uygulama standardına uygun ve dünya çapındaki müşteriler tarafından onaylanmış GE işleme standardı ve teknolojisi tarafından tanıtıldı.Güçlü termal yorulma direnci özellikleri, uzun hizmet ömrü, yüksek voltaj, büyük akım, güçlü çevresel uyum, vb. özelliklerine sahiptir. Her çip TJM'de test edilir, rastgele incelemeye kesinlikle izin verilmez.Çip parametrelerinin tutarlılık seçimi, uygulama gereksinimlerine göre sağlanabilir.
Parametre:
| Çap mm | Kalınlık mm | Gerilim V | Katot Çıkış Çapı mm | tjm ℃ |
| 17 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 12.5 | 150 |
| 23.3 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 23.3 | 2,15±0,1 | 4200-5500 | 16.5 | 150 |
| 24 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 25.4 | 1.4-1.7 | ≤3500 | 19.5 | 150 |
| 29.72 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 25 | 150 |
| 29.72 | 1.9-2.3 | 2800-5500 | 23 | 150 |
| 32 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 27.5 | 150 |
| 32 | 2±0.1 | 2400-2600 | 26.3 | 150 |
| 35 | 1.8-2.1 | ≤3500 | 29 | 150 |
| 35 | 2,2±0,1 | 3600-5000 | 27.5 | 150 |
| 36 | 2,1±0,1 | ≤2200 | 31 | 150 |
| 38.1 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 34 | 150 |
| 40 | 1.9-2.2 | ≤3500 | 33.5 | 150 |
| 40 | 2.2-2.5 | 3600-6500 | 31.5 | 150 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤3000 | 39.5 | 150 |
| 45 | 2,5±0,1 | 3600-4500 | 37.5 | 150 |
| 50.8 | 2.4-2.7 | ≤4000 | 43.5 | 150 |
| 50.8 | 2,8±0,1 | 4200-5000 | 41.5 | 150 |
| 55 | 2.4-2.8 | ≤4500 | 47.7 | 150 |
| 55 | 2.8-3.1 | 5200-6500 | 44.5 | 150 |
| 63.5 | 2.6-3.0 | ≤4500 | 56.5 | 150 |
| 63.5 | 3.0-3.3 | 5200-6500 | 54.5 | 150 |
| 70 | 2.9-3.1 | ≤3200 | 63.5 | 150 |
| 70 | 3,2±0,1 | 3400-4500 | 62 | 150 |
| 76 | 3.4-3.8 | ≤4500 | 68.1 | 150 |
| 89 | 3.9-4.3 | ≤4500 | 80 | 150 |
| 99 | 4.4-4.8 | ≤4500 | 89.7 | 150 |
Teknik özellik:
RUNAU Electronics, doğrultucu diyot ve kaynak diyodunun güç yarı iletken çiplerini sağlar.
1. Durumda düşük voltaj düşüşü
2. İletkenlik ve ısı yayma özelliğini iyileştirmek için altın metal kaplama uygulanacaktır.
3. Çift katmanlı koruma mesa
İpuçları:
1. Daha iyi performansı sürdürmek için, molibden parçalarının oksidasyonu ve neminden kaynaklanan voltaj değişimini önlemek için çip nitrojen veya vakum koşullarında saklanmalıdır.
2. Çip yüzeyini daima temiz tutun, lütfen eldiven giyin ve çipe çıplak elle dokunmayın.
3. Kullanım sürecinde dikkatli çalışın.Çipin reçine kenar yüzeyine ve geçidin ve katodun kutup alanındaki alüminyum tabakaya zarar vermeyin.
4. Testte veya kapsüllemede, fikstürün paralellik, düzlük ve sıkıştırma kuvvetinin belirtilen standartlarla örtüşmesi gerektiğine lütfen dikkat edin.Zayıf paralellik, eşit olmayan basınca ve talaşın zorla zarar görmesine neden olur.Aşırı kenetleme kuvveti uygulanırsa, çip kolayca zarar görür.Uygulanan kenetleme kuvveti çok küçükse, zayıf temas ve ısı dağılımı uygulamayı etkileyecektir.
5. Çipin katot yüzeyi ile temas halinde olan basınç bloğu tavlanmalıdır.
Kelepçe Kuvveti Önerin
| Cips Boyutu | Kelepçe Kuvveti Önerisi |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 veya Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 veya Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |