Basın Paketi IGBT
Basın paketi IGBT (IEGT)
| TİP | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80°C A | ITGQM@CS A / uF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1.8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Not:D- d ileiyot kısmı, A-diyot parçası olmadan
Geleneksel olarak, lehim kontaklı IGBT modülleri, esnek DC iletim sisteminin anahtar tertibatında uygulanmıştır.Modül paketi, tek taraflı ısı dağılımıdır.Cihazın güç kapasitesi sınırlıdır ve seri bağlanması uygun değildir, tuzlu havada kullanım ömrü kısadır, anti-şok titreşimi veya termal yorgunluk zayıftır.
Yeni tip pres temaslı yüksek güçlü pres paketi IGBT cihazı, yalnızca lehimleme işlemindeki boşluk, lehim malzemesinin termal yorgunluğu ve tek taraflı ısı dağılımının düşük verimliliği sorunlarını tamamen çözmekle kalmaz, aynı zamanda çeşitli bileşenler arasındaki termal direnci de ortadan kaldırır. boyutu ve ağırlığı en aza indirin.Ve IGBT cihazının çalışma verimliliğini ve güvenilirliğini önemli ölçüde artırın.Esnek DC iletim sisteminin yüksek güç, yüksek voltaj, yüksek güvenilirlik gereksinimlerini karşılamak için oldukça uygundur.
Lehim temas tipinin pres paketi IGBT ile değiştirilmesi zorunludur.
Runau Electronics, 2010 yılından bu yana, yeni tip pres paketi IGBT cihazı geliştirmek ve 2013 yılında üretimi başarmak için detaylandırılmıştır. Performans, ulusal yeterlilik tarafından onaylanmıştır ve üstün başarı tamamlanmıştır.
Artık 600A ila 3000A IC aralığında ve 1700V ila 6500V aralığında VCES aralığında seri pres paketi IGBT üretebilir ve sağlayabiliriz.Çin'de esnek DC iletim sisteminde uygulanmak üzere Çin'de üretilen pres paketi IGBT'nin muhteşem bir beklentisi çok bekleniyor ve yüksek hızlı elektrikli trenden sonra Çin güç elektroniği endüstrisinin bir başka dünya standartlarında kilometre taşı olacak.
Tipik Modun Kısa Tanıtımı:
1. Mod: Basın paketi IGBT CSG07E1700
●Paketleme ve presleme sonrası elektriksel özellikler
● Tersparalelbağlıhızlı kurtarma diyotusonuçlandırıldı
● Parametre:
Anma değeri (25 ℃)
A.Kollektör Verici Gerilimi: VGES=1700（V）
B.Kapı Verici Gerilimi: VCES=±20（V）
C.Kollektör Akımı: IC=800（A）ICP=1600（A）
D.Toplayıcı Güç Tüketimi: PC=4440（W）
e.Çalışma Bağlantı Sıcaklığı: Tj=－20~125℃
F.Saklama Sıcaklığı: Tstg=-40~125℃
Not: Nominal değerin üzerindeyse cihaz zarar görür
ElektrikselCözellikler, TC＝125℃，Rth (termal direncibağlantı noktasıdava)dahil değil
A.Kapı Kaçak Akımı: IGES=±5（μA）
B.Kollektör Verici Bloklama Akımı ICES=250（mA）
C.Kollektör Verici Doyum Gerilimi: VCE(sat)=6(V)
D.Gate Verici Eşik Gerilimi: VGE(th)=10(V)
e.Açma zamanı: Ton=2.5μs
F.Kapatma süresi: Toff=3μs
2. Mod: Basın paketi IGBT CSG10F2500
●Paketleme ve presleme sonrası elektriksel özellikler
● Tersparalelbağlıhızlı kurtarma diyotusonuçlandırıldı
● Parametre:
Anma değeri (25 ℃)
A.Kollektör Verici Gerilimi: VGES=2500（V）
B.Kapı Verici Gerilimi: VCES=±20（V）
C.Kollektör Akımı: IC=600（A）ICP=2000（A）
D.Toplayıcı Güç Tüketimi: PC=4800（W）
e.Çalışma Bağlantı Sıcaklığı: Tj=－40~125℃
F.Saklama Sıcaklığı: Tstg=-40~125℃
Not: Nominal değerin üzerindeyse cihaz zarar görür
ElektrikselCözellikler, TC＝125℃，Rth (termal direncibağlantı noktasıdava)dahil değil
A.Kapı Kaçak Akımı: IGES=±15（μA）
B.Kollektör Verici Engelleme Akımı ICES=25（mA）
C.Kollektör Verici Doyma Gerilimi: VCE(sat)=3,2 (V)
D.Gate Verici Eşik Gerilimi: VGE(th)=6.3(V)
e.Açma zamanı: Ton=3.2μs
F.Kapatma süresi: Toff=9.8μs
G.Diyot İleri gerilimi: VF=3,2 V
H.Diyot Ters İyileşme Süresi: Trr=1.0 μs
3. Mod: Basın paketi IGBT CSG10F4500
●Paketleme ve presleme sonrası elektriksel özellikler
● Tersparalelbağlıhızlı kurtarma diyotusonuçlandırıldı
● Parametre:
Anma değeri (25 ℃)
A.Kollektör Verici Gerilimi: VGES=4500（V）
B.Kapı Verici Gerilimi: VCES=±20（V）
C.Kollektör Akımı: IC=600（A）ICP=2000（A）
D.Kollektör Güç Tüketimi: PC=7700（W）
e.Çalışma Bağlantı Sıcaklığı: Tj=－40~125℃
F.Saklama Sıcaklığı: Tstg=-40~125℃
Not: Nominal değerin üzerindeyse cihaz zarar görür
ElektrikselCözellikler, TC＝125℃，Rth (termal direncibağlantı noktasıdava)dahil değil
A.Kapı Kaçak Akımı: IGES=±15（μA）
B.Kollektör Verici Bloklama Akımı ICES=50（mA）
C.Kollektör Verici Doyum Gerilimi: VCE(sat)=3,9 (V)
D.Gate Verici Eşik Gerilimi: VGE(th)=5,2 (V)
e.Açma zamanı: Ton=5.5μs
F.Kapatma süresi: Toff=5.5μs
G.Diyot İleri gerilimi: VF=3,8 V
H.Diyot Ters İyileşme Süresi: Trr=2.0 μs
Not:Pres paketi IGBT, uzun vadeli yüksek mekanik güvenilirlik, hasara karşı yüksek direnç ve pres bağlantı yapısının özellikleri açısından avantaj sağlar, seri cihazda kullanılmaya uygundur ve geleneksel GTO tristör ile karşılaştırıldığında, IGBT voltaj tahrik yöntemidir .Bu nedenle kullanımı kolay, güvenli ve geniş çalışma aralığına sahiptir.